5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1353T114/DF | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy |
|
| 2SB1353T114/E | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy |
|
| 2SB1353T114/EF | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy |
|
| 2SB1353T114/F | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy |
|
| 2SB1353T114F | ROHM |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SB1354 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-82VAR |
|
| 2SB1355 | ROHM |
获取价格 |
TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE |
|
| 2SB1355D | ROHM |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SB1355E | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-225VAR |
|
| 2SB1355F | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-225VAR |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
