2SB1340

更新时间： 2024-11-22 22:52:39

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2SB1340 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	6 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	2000
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e2	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	30 W
最大功率耗散 (Abs)：	30 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	12 MHz	VCEsat-Max：	1.5 V
Base Number Matches：	1

2SB1340

2SD1889

Transistors

(96-650-B88)

(96-765-D88)

288

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1340C7	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
2SB1340C7K	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
2SB1340K	ROHM	获取价格	暂无描述
2SB1341	ROHM	获取价格	TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE
2SB1341	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB1341	ISC	获取价格	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor
2SB1341C7	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
2SB1341C7K	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
2SB1341K	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
2SB1342	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors