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2SB1240TV2

更新时间： 2024-10-14 14:46:39
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器晶体管电视
页数 文件大小 规格书
4页 147K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ATV, 3 PIN

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2SB1240TV2 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.31
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：32 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

2SB1240TV2 数据手册

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Medium power transistor (32V, 2A)  
2SB1182 / 2SB1240  
Features  
Dimensions (Unit : mm)  
1) Low VCE(sat).  
2SB1182  
2SB1240  
VCE(sat) = 0.5V (Typ.)  
(IC/IB = 2A / 0.2A)  
2) Complements 2SD1758 / 2SD1862.  
2.5 0.2  
6.8 0.2  
+0.2  
2.3  
6.5 0.2  
−
0.1  
C0.5  
+0.2  
5.1  
0.5 0.1  
−
0.1  
0.65Max.  
0.65 0.1  
0.75  
Structure  
Epitaxial planar type  
PNP silicon transistor  
0.9  
0.5 0.1  
0.55 0.1  
1.0 0.2  
2.3 0.2 2.3 0.2  
(1) (2)  
(3)  
2.54  
2.54  
1.05  
0.45 0.1  
(1) (2) (3)  
(1) Base  
(1) Emitter  
(2) Collector  
(3) Base  
ROHM : CPT3  
EIAJ : SC-63  
(2) Collector  
(3) Emitter  
ROHM : ATV  
Absolute maximum ratings (Ta=25C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
−40  
V
V
−32  
−5  
V
−2  
A(DC)  
A (Pulse)  
I
C
Collector current  
1
−3  
∗
W (Tc=25°C  
)
2SB1182  
2SB1240  
10  
1
Collector power  
dissipation  
P
C
W
2
∗
Junction temperature  
Storage temperature  
1 Single pulse, Pw=100ms  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to 150  
∗
∗
2 Printed circuit board, 1.7mm thick, collector copper plating 100mm2 or larger.  
Electrical characteristics (Ta=25C)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ.  
−
Max.  
−
Unit  
V
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
−40  
−32  
−5  
−
I
C
= −50μA  
−
−
V
I
I
C
= −1mA  
= −50μA  
−
−
V
E
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−1  
−1  
−0.8  
390  
−
μ
μ
A
A
V
V
CB= −20V  
EB= −4V  
Emitter cutoff current  
I
−
−
Collector-emitter saturation voltage  
V
−
V
I
C
/I = −2A/ −0.2A  
B
−0.5  
−
∗
∗
DC current transfer ratio  
Transition frequency  
Output capacitance  
h
120  
−
−
V
V
V
CE= −3V, I  
C
= −0.5A  
=0.5A, f=100MHz  
=0A, f=1MHz  
f
T
100  
50  
MHz  
pF  
CE= −5V, I  
E
Cob  
−
−
CB= −10V, I  
E
Measured using pulse current.  
∗
www.rohm.com  
2010.04 - Rev.C  
1/3  
c
○ 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1240TV2/P ROHM

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 		2000mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ATV, 3 PIN
2SB1240TV2/PQ ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1240TV2/PR ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1240TV2/Q ROHM

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 		2000mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ATV, 3 PIN
2SB1240TV2/R ROHM

获取价格

 		2000mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ATV, 3 PIN
2SB1240TV2Q ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ATV, 3 PI
2SB1240TV3 ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SB1240TV3/P ROHM

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