Datasheet > 2SB1203

2SB1203

更新时间： 2024-01-03 11:40:54

品牌	Logo	应用领域
科信 - KEXIN		晶体开关晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	48K
描述
High-Current Switching Applications

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SB1203 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.42	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	130 MHz
Base Number Matches：	1

2SB1203 数据手册

SMD Type

Transistors

High-Current Switching Applications

2SB1203

TO-252

Unit: mm

Features

6.50^+0.15

-0.15

2.30^+0.1

-0.1

5.30^+0.2

0.50^+0.8

-0.7

-0.2

Low collector-to-emitter saturation voltage.

High current and high fT.

Excellent linearity of hFE.

Fast switching speed.

0.127

max

0.80^+0.1

-0.1

0.60^+0.1

2.3

4.60^+0.15

-0.1

1 Base

-0.15

2 Collector

3 Emitter

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

Unit

-60

-50

-6

-5

Collector current (pulse)

Collector dissipation

T^C= 25

I^CP

-8

Jumction temperature

Storage temperature

T^j

150

Tstg

-55 to +150

www.kexin.com.cn

中文翻译

下载PDF

与2SB1203相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1203_15	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SB1203Q	ONSEMI	获取价格	TRANSISTOR 5000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TP, 3 PIN, BIP General Purpose
2SB1203-Q	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SB1203R	ONSEMI	获取价格	TRANSISTOR 5000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TP, 3 PIN, BIP General Purpose
2SB1203-R	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SB1203S	ONSEMI	获取价格	暂无描述
2SB1203-S	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SB1203S-E	ONSEMI	获取价格	Bipolar Transistor
2SB1203S-H	ONSEMI	获取价格	Bipolar Transistor
2SB1203S-TL-E	ONSEMI	获取价格	Bipolar Transistor