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2SB1204

更新时间： 2024-01-17 15:14:41

品牌	Logo	应用领域
TYSEMI		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
2页	99K
描述
Low collector-to-emitter saturation voltage. High current and high fT. Excellent linearity of hFE.

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2SB1204 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.59	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	8 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	200	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

2SB1204 数据手册

Product specification

2SB1204

TO-252

Unit: mm

6.50^+0.15

2.30^+0.1

Features

-0.15

-0.1

5.30^+0.2

0.50^+0.8

-0.7

-0.2

Low collector-to-emitter saturation voltage.

High current and high fT.

Excellent linearity of hFE.

Fast switching time.

0.127

max

0.80^+0.1

-0.1

0.60^+0.1

2.3

4.60^+0.15

-0.1

1 Base

-0.15

2 Collector

3 Emitter

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

V^CBO

V^CEO

VEBO

I^C

Rating

Unit

-60

-50

-6

-8

Collector current (pulse)

Collector dissipation

T^a= 25

I^CP

-12

P^C

Jumction temperature

Storage temperature

T^j

150

T^stg

-55 to +150

http://www.twtysemi.com

1 of 2

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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