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2SB1186_15

更新时间： 2024-01-29 23:51:40

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描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB1186_15 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1186

DESCRIPTION

·With TO-220Fa package

·Low collector saturation votlage

·Complement to type 2SD1763

·High breakdown voltage

APPLICATIONS

·For use in low frequency power

amplifer applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector -emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-120

-5

UNIT

Open base

Open collector

-1.5

I_CM

Collector current-peak

-3.0

T_a=25℃

T_C=25℃

2.0

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

℃

T_stg

-55~150

12 3

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