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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 82 |
| JEDEC-95代码： | TO-126 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 10 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz | VCEsat-Max： | 2 V |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1086/Q | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast |
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| 2SB1086/QR | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast |
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| 2SB1086/R | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast |
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| 2SB1086_15 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1086_2014 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1086A | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1086A | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1086A/N | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast |
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| 2SB1086A/P | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast |
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| 2SB1086A/PQ | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast |
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