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2SA969

更新时间： 2024-11-12 06:19:23

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	57K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA969 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA969

DESCRIPTION

·With TO-66 package

·Complement to type 2SC2239

·High breakdown votage

APPLICATIONS

·Power amplifier applications

·Driver stage amplifier applications

PINNING(See Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-160

-5

UNIT

Collector-base voltage

Open base

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Open collector

Collector current

-1.5

I_E

Emitter current

1.5

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA970	NJSEMI	获取价格	TOSHIBA TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS)
2SA970	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR (LOW NOISE AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS)
2SA970	JSMC	获取价格	TO-92
2SA970	FOSHAN	获取价格	TO-92
2SA970_07	TOSHIBA	获取价格	Low Noise Audio Amplifier Applications
2SA970BL	CDIL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
2SA970-BL	TOSHIBA	获取价格	Low Noise Audio Amplifier Applications
2SA970BL-TPE2	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor
2SA970GR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 120V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-92
2SA970-GR	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)