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2SA785/P

更新时间： 2024-01-12 17:48:40

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	81K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, PNP, Silicon

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技术参数
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2SA785/P 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	82
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	180 MHz	VCEsat-Max：	0.5 V

2SA785/P 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2SA785C1	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	获取价格
2SA785C1/P	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, PNP, Silicon	获取价格
2SA785C1/PQ	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, PNP, Silicon	获取价格
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