2SA794

更新时间： 2024-11-26 22:49:27

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松下 - PANASONIC		/
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4页	95K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type

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2SA794 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SIP	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.85	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz

2SA794 数据手册

Power Transistors

2SA0794 (2SA794), 2SA0794A (2SA794A)

Silicon PNP epitaxial planar type

For low-frequency output driver

Unit: mm

+0.5

–0.1

8.0

3.2 0.2

Complementary to 2SC1567, 2SC1567A

φ 3.16 ^0.1

■ Features

• High collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

• Optimum for the driver stage of low-frequency and 40 W to 100 W

output amplifier

• TO-126B package which requires no insulation plate for installa-

tion to the heat sink

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

0.75 0.1

4.6 0.2

0.5 0.1

2.3 0.2

Parameter

Symbol

Rating

−100

−120

−100

−120

−5

Unit

0.5 0.1

1.76 0.1

2SA0794

2SA0794A

2SA0794

2SA0794A

V_CBO

Collector-base voltage

(Emitter open)

1: Emitter

2: Collector

3: Base

V_CEO

Collector-emitter voltage

(Base open)

TO-126B-A1 Package

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

− 0.5

−1

Peak collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

1.2

°C

150

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

−100

−120

−5

Typ

Max

Unit

2SA0794

V_CEO

I_C= −100 µA, I_B= 0

Collector-emitter voltage

(Base open)

2SA0794A

Emitter-base voltage (Collector open)

Forward current transfer ratio

V_EBO

I_E= −1 µA, I_C= 0

h_FE1

V_CE= −10 V, I_C= −150 mA

V_CE= −5 V, I_C= −500 mA

220



h_FE2

100

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= −500 mA, I_B= −50 mA

V_BE(sat)I_C= −500 mA, I_B= −50 mA

− 0.2 − 0.4

− 0.85 −1.20

120

f_T

V_CB= −10 V, I_E= 50 mA, f = 200 MHz

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

MHz

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE1

90 to 155

130 to 220

Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.

Publication date: February 2003

SJD00001BED

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SA794AP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 120V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-126
2SA794AQ	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 120V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-126
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