2SA795P

更新时间： 2024-11-27 13:04:11

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	104K
描述
Transistor

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2SA795P 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SA795P 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

2SA795

DESCRIPTION

·Large Collector Power Dissipation

·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -150V(Min)

·Good Linearity of h_FE

·Complement to Type 2SC1565

APPLICATIONS

·Medium Power amplifier applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-150

-5

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Pulse

-1

I_CP

-1.5

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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2SA805N	ROHM	获取价格	Transistor
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