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2SA2081CDTL-E

更新时间： 2024-01-11 04:00:00

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瑞萨 - RENESAS		晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
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5页	163K
描述
Silicon PNP Epitaxial

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2SA2081CDTL-E 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	400
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES

2SA2081CDTL-E 数据手册

2SA2081

Main Characteristics

Maximum Collector Dissipation Curve

Typical Output Characteristics

–10

–8

150

100

–6

–4

–10

–5 µA

–2

*Value on the glass epoxy board

(10 mm x 10 mm x 0.7 mm)

Pulse test

I_B= 0

100

150

–2

–4

–6

–8

–10

Collector to Emitter Voltage V_CE(V)

Ambient Temperature Ta (°C)

DC Current Transfer Ratio vs.

Collector Current

Typical Transfer Characteristics

10,000

–100m

–10m

V_CE= –12 V

Pulse test

V_CE= –12 V

Pulse test

1,000

100

–1m

–100µ

–10µ

–10 µ

–100 µ

–1 m

–10 m –50 m

–0.2

–0.4

–0.6

–0.8 –1.0

Collector Current I_C(A)

Base to Emitter Voltage V_BE(V)

Collector to Emitter Saturation Voltage vs.

Collector Currrent

Collector Output Capacitance vs.

Collector to Base Voltage

–0.28

f = 1 MHz

I_E= 0

I_C= 10 I_B

–0.24

–0.20

–0.16

–0.12

Ta = 75°C

–0.08

–0.04

–1

–2

–5

–10 –20

–50

–1 –2

–5 –10 –20

–50 –100

Collector to Base Voltage V_CB(V)

Collector Current I_C(mA)

Rev.1.00 Aug 10, 2005 page 3 of 4

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与2SA2081CDTL-E相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA2081D	ETC	BJT	获取价格
2SA2081E	ETC	BJT	获取价格
2SA2083	ETC		获取价格
2SA2083C	ETC	BJT	获取价格
2SA2083D	ETC	BJT	获取价格
2SA2083E	ETC	BJT	获取价格