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2SA2056

更新时间： 2024-11-20 22:49:27
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东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 193K
描述
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type

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2SA2056 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.58Samacsys Description：Power transistor for high-speed switching applications
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

2SA2056 数据手册

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2SA2056  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type  
2SA2056  
High-Speed Switching Applications  
DC-DC Converter Applications  
Strobe Applications  
Unit: mm  
•
•
•
High DC current gain: h  
= 200 to 500 (I = −0.5 A)  
C
FE  
Low collector-emitter saturation voltage: V  
= −0.2 V (max)  
CE (sat)  
High-speed switching: t = 90 ns (typ.)  
f
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
−50  
−50  
V
V
V
−7  
DC  
Collector current  
Pulse  
I
−2.0  
C
A
I
−3.5  
CP  
Base current  
I
−200  
1000  
625  
mA  
mW  
B
JEDEC  
JEITA  
TO-92  
t = 10 s  
P
C
Collector power  
―
dissipation  
(Note 1)  
DC  
TOSHIBA  
2-3S1A  
Junction temperature  
T
150  
°C  
°C  
j
Weight: 0.01 g (typ.)  
Storage temperature range  
T
−55 to 150  
stg  
Note 1: Mounted on FR4 board (glass epoxy, 1.6 mm thick, Cu area:  
2
645 mm )  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector cut-off current  
Symbol  
Test Condition  
= −50 V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
I
V
V
―
―
―
―
−100  
−100  
―
nA  
nA  
V
CBO  
CB  
EB  
E
Emitter cut-off current  
I
= −7 V, I = 0  
C
EBO  
(BR) CEO  
Collector-emitter breakdown voltage  
V
I
= −10 mA, I = 0  
−50  
200  
100  
―
―
C
B
h
FE  
h
FE  
(1)  
(2)  
V
V
= −2 V, I = −0.3 A  
―
500  
―
CE  
CE  
C
DC current gain  
= −2 V, I = −1.0 A  
―
C
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Collector output capacitance  
Rise time  
V
I
I
= −1.0 A, I = −0.033 A  
―
−0.2  
−1.1  
―
V
V
CE (sat)  
BE (sat)  
C
C
B
V
= −1.0 A, I = −0.033 A  
―
―
B
C
V
= −10 V, I = 0, f = 1 MHz  
―
20  
60  
250  
90  
pF  
ob  
CB  
E
t
―
―
See Figure 1 circuit diagram.  
≈ −30 V, R = 30 Ω  
r
Switching time  
V
ns  
Storage time  
Fall time  
t
―
―
CC  
L
stg  
−I = I = −33 mA  
t
f
―
―
B1  
B2  
1
2001-10-29  
12345

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与2SA2056相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA2056(TE85L,F) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR PNP 50V 2A TSM
2SA2056_06 TOSHIBA

获取价格

 		High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Strobe Applications
2SA2057 PANASONIC

获取价格

 		Silicon PNP epitaxial planar type
2SA2057P PANASONIC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
2SA2057Q PANASONIC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
2SA2058 TOSHIBA

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 		TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type
2SA2058 KEXIN

获取价格

 		Silicon PNP Epitaxial Type
2SA2058 TYSEMI

获取价格

 		High DC current gain: hFE = 200 to 500 (IC = 0.2 A) High-speed switching: tf = 25 ns (typ.
2SA2058(TE85L) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR,BJT,PNP,10V V(BR)CEO,1.5A I(C),SOT-346
2SA2058(TE85L,F) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR,BJT,PNP,10V V(BR)CEO,1.5A I(C),SOT-346

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