5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SA1832FTGR
2SA1832FTGR PDF预览

2SA1832FTGR

更新时间： 2024-11-14 23:19:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
3页 129K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SOT-416VAR

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SA1832FTGR 技术参数

生命周期：Lifetime Buy包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.64Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.15 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：200
JESD-30 代码：R-PDSO-F3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：80 MHzBase Number Matches：1

2SA1832FTGR 数据手册

 浏览型号2SA1832FTGR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA1832FTGR的Datasheet PDF文件第3页 
                                                        
                                                        
                                                                    
                                                                     
2SA1832FT  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)  
2SA1832FT  
Audio frequency General Purpose Amplifier Applications  
Unit: mm  
·
·
·
·
High voltage: V  
= −50 V  
CEO  
High current: I = −150 mA (max)  
C
High h : h  
FE FE  
= 120 to 400  
Excellent h  
FE  
linearity  
C
: h  
(I = −0.1 mA)/h  
(I = −2 mA) = 0.95 (typ.)  
FE C  
FE  
·
Complementary to 2SC4738F  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
-50  
-50  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
-5  
V
I
-150  
-30  
mA  
mW  
mW  
°C  
°C  
C
Base current  
I
B
JEDEC  
JEITA  
―
―
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
100  
C
T
125  
j
TOSHIBA  
2-1B1A  
T
-55 to 125  
stg  
Marking  
Type Name  
h
FE  
Rank  
S Y  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector cut-off current  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
I
V
V
= -50 V, I = 0  
¾
¾
¾
¾
-0.1  
-0.1  
mA  
mA  
CBO  
CB  
EB  
E
Emitter cut-off current  
I
= -5 V, I = 0  
C
EBO  
h
FE  
DC current gain  
V
= -6 V, I = -2 mA  
120  
¾
400  
CE  
B
(Note)  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
V
I
= -100 mA, I = -10 mA  
―
80  
¾
-0.1  
¾
-0.3  
¾
V
CE (sat)  
C
B
f
V
V
= -10 V, I = -1 mA  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
C
Collector output capacitance  
C
= -10 V, I = 0, f = 1 MHz  
4
7
ob  
E
Note: h Classification  
FE  
Y (Y): 120 to 140, GR (G): 200 to 400  
(
) Marking symbol  
1
2002-01-16  
123

中文翻译

下载PDF

与2SA1832FTGR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1832FT-GR TOSHIBA

获取价格

 		暂无描述
2SA1832FT-GR(TE85L,F TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor
2SA1832FTY TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SOT-416VAR
2SA1832FV TOSHIBA

获取价格

 		TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)
2SA1832FV-GR TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP Genera
2SA1832FV-Y TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP Genera
2SA1832FY ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SC-70VAR
2SA1832F-Y TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ESM, 2-2HA1A, 3 PIN, BIP Genera
2SA1832-G KEXIN

获取价格

 		PNP Transistors
2SA1832GR WEITRON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor

与2SA1832FTGR相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证