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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SA1834/S
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2SA1834/S

更新时间： 2024-11-15 12:58:15
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 78K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 15A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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2SA1834/S 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.64最大集电极电流 (IC)：15 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：270JESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e2元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：10 W
最大功率耗散 (Abs)：10 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：TIN COPPER端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzVCEsat-Max：0.25 V
Base Number Matches：1

2SA1834/S 数据手册

 浏览型号2SA1834/S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA1834/S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SA1834/S的Datasheet PDF文件第4页 
2SA1834  
Transistors  
Low VCE(sat) Transistor (Strobe flash)  
(−20V, −10A)  
2SA1834  
z
(Unit : mm)  
External dimentions  
zFeatures  
1) Low saturation voltage,  
CPT3  
6.5  
5.1  
typically VCE(sat) = −0.16V at IC / IB= −4A / −50mA.  
2) High current capacity, typically IC= –10A for DC  
operation and –15A for 10ms pulse.  
3) Complements the 2SC5001.  
2.3  
0.5  
0.75  
z
Packaging specifications and hFE  
0.65  
Type  
2SA1834  
0.9  
(1)  
2.3  
(1)Base  
2.3  
(3)  
(2)  
0.5  
1.0  
Package  
CPT3  
RS  
(2)Collector  
(3)Emitter  
hFE  
Code  
TL  
Basic ordering unit (pieces)  
2500  
z
(Ta=25 C)  
Absolute maximum ratings  
°
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
−30  
−20  
−6  
V
V
I
C
−10  
−15  
A
Collector current  
∗
I
CP  
A
Base current  
I
B
−2  
A
1
W
Collector power dissipation  
P
C
10  
W(Tc=25°C  
)
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
Single pulse Pw=10ms  
∗
z
(Ta=25 C)  
Electrical characteristics  
°
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
−30  
−20  
−6  
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
V
V
I
I
I
C
=−50µA  
=−1mA  
C
V
E
=−50µA  
CB=−20V  
EB=−5V  
I
CBO  
−1  
−1  
−0.25  
−1.2  
560  
−
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
EBO  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
VCE(sat)  
−0.16  
−0.9  
−
−
150  
220  
I
I
C
/I  
/I  
B
=−4A/−0.05A  
=−4A/−0.05A  
∗
∗
∗
∗
V
BE(sat)  
−
V
C
B
hFE1  
hFE2  
fT  
180  
82  
−
−
−
MHz  
pF  
V
V
V
V
CE=−2V , I  
CE=−2V , I  
CE=−5V , I  
C
=−0.5A  
=−4A  
DC current transfer ratio  
C
Transition frequency  
Output capacitance  
−
−
E
=1.5A , f=50MHz  
=0A , f=1MHz  
Cob  
−
CB=−10V , I  
E
Measured using pulse current.  
∗
Rev.A  
1/3  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1834F5 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-252
2SA1834F5/Q ROHM

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