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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.77 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 400 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 56 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SA1809T105P | ROHM | 0.5A, 400V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SA1809T105Q | ROHM | 0.5A, 400V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SA1810 | HITACHI | Silicon PNP Epitaxial |
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| 2SA1810 | RENESAS | 0.2A, 200V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126MOD, 3 PIN |
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| 2SA1810B | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-126 |
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| 2SA1810C | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-126 |
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