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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 400 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1810 | HITACHI |
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Silicon PNP Epitaxial |
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| 2SA1810 | RENESAS |
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0.2A, 200V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126MOD, 3 PIN |
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| 2SA1810B | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-126 |
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| 2SA1810C | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-126 |
|
| 2SA1811 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR (LOW FREQUENCY, DRIVER STAGE AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS |
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| 2SA1811TPE6 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| 2SA1812 | TYSEMI |
获取价格 |
High breakdown voltage. Low saturation voltage.Collector-base voltage VCBO -400 V |
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| 2SA1812 | ROHM |
获取价格 |
High-voltage Switching Transistor (Telephone power supply) (-400V, -0.5A) |
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| 2SA1812_1 | ROHM |
获取价格 |
High-voltage Switching Transistor ( 400V, 0.5A) |
|
| 2SA1812N | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 400V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89 |
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