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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SA1587-GR,LF(T
2SA1587-GR,LF(T PDF预览

2SA1587-GR,LF(T

更新时间： 2024-11-18 13:04:07
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 放大器
页数 文件大小 规格书
4页 629K
描述
Small Signal Bipolar Transistor

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2SA1587-GR,LF(T 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：2.07
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：120 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：0.1 W
最大功率耗散 (Abs)：0.1 W表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzVCEsat-Max：0.3 V
Base Number Matches：1

2SA1587-GR,LF(T 数据手册

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2SA1587  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)  
2SA1587  
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications  
Unit: mm  
•
•
High voltage: V  
= −120 V  
CEO  
Excellent h  
linearity: h  
(I = −0.1 mA)/h  
(I = −2 mA)  
C
FE  
FE  
C
FE  
= 0.95 (typ.)  
= 200~700  
•
•
•
•
High h  
h
FE: FE  
Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max)  
Complementary to 2SC4117  
Small package  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
−120  
−120  
−5  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
I
−100  
−20  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Base current  
I
B
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
100  
C
T
j
125  
T
stg  
−55~125  
JEDEC  
JEITA  
―
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
SC-70  
2-2E1A  
TOSHIBA  
Weight: 0.006 g (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
= −120 V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
I
V
V
⎯
⎯
⎯
⎯
−0.1  
−0.1  
μA  
μA  
CBO  
CB  
EB  
E
I
= −5 V, I = 0  
C
EBO  
h
FE  
(Note)  
DC current gain  
V
= −6 V, I = −2 mA  
200  
⎯
700  
CE  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
V
I
= −10 mA, I = −1 mA  
⎯
⎯
⎯
⎯
100  
4
−0.3  
⎯
V
CE (sat)  
C
B
f
V
V
V
= −6 V, I = −1 mA  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
CE  
C
Collector output capacitance  
C
= −10 V, I = 0, f = 1 MHz  
⎯
ob  
E
= −6 V, I = −0.1 mA, f = 1 kHz,  
C
Noise figure  
NF  
⎯
1.0  
10  
dB  
Rg = 10 kΩ  
Note: h classification GR (G): 200~400, BL (L): 350~700  
FE  
(
) marking symbol  
Marking  
1
2007-11-01  
1234

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与2SA1587-GR,LF(T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1587GRTE85R TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
2SA1587-L KEXIN

获取价格

 		PNP Transistors
2SA1587TE85L TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
2SA1587TE85R TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
2SA1588 TYSEMI

获取价格

 		Excellent hFE linearity.Collector-base voltage VCBO -35 V
2SA1588 TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY LOW POWER AMPLIFIER, DRIVER STAGE AMPLIFIER, SWITCHING APPLICA
2SA1588 KEXIN

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 		Silicon PNP Epitaxial
2SA1588_07 TOSHIBA

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2SA1588-GR TOSHIBA

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 		TRANS PNP 30V 0.5A USM
2SA1588-GR(LF TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor

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