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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.45 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 90 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 400 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 130 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1484IREUR | RENESAS |
获取价格 |
100mA, 90V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3 |
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| 2SA1485 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon PNP Epitaxial |
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| 2SA1485 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon PNP Epitaxial |
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| 2SA1485RF | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
|
| 2SA1485RR | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SA1485TZ | RENESAS |
获取价格 |
100mA, 200V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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| 2SA1486 | NEC |
获取价格 |
PNP SILICON POWER TRANSISTOR |
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| 2SA1486K | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 600V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 |
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| 2SA1486-K | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SA1486-K-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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