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2SA1488

更新时间： 2024-11-16 22:52:35
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
1页 27K
描述
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose)

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2SA1488 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220F, FM20, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.8Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：25 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：15 MHzBase Number Matches：1

2SA1488 数据手册

  
2 S A1 4 8 8 /1 4 8 8 A  
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC3851/A)  
Application : Audio and General Purpose  
External Dimensions FM20 (TO220F)  
■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
■Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
Symbol  
Unit  
Symbol  
Conditions  
2SA1488  
Unit  
2SA1488 2SA1488A  
2SA1488A  
±0.2  
4.2  
±0.2  
10.1  
c
0.5  
2.8  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
–100max  
–60  
V
V
–100max  
–80  
µA  
V
–60  
–60  
–80  
–80  
ICBO  
VCB=  
–6  
–4  
–1  
IEBO  
±0.2  
ø3.3  
VEB=–6V  
V
µA  
V
–100max  
a
b
V(BR)CEO  
hFE  
IC=–25mA  
–60min  
A
–80min  
IB  
VCE=–4V, IC=–1A  
IC=–2A, IB=–0.2A  
VCE=–12V, IE=0.2A  
VCB=–10V, f=1MHz  
A
40min  
VCE(sat)  
fT  
PC  
25(Tc=25°C)  
150  
V
MHz  
pF  
W
°C  
°C  
–0.5max  
15typ  
±0.15  
1.35  
Tj  
±0.15  
1.35  
to  
COB  
Tstg  
–55 +150  
90typ  
+0.2  
-0.1  
0.85  
+0.2  
-0.1  
0.45  
±0.2  
2.4  
2.54  
2.54  
±0.2  
2.2  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
Weight : Approx 2.0g  
a. Type No.  
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VBB1  
(V)  
VBB2  
(V)  
IB1  
(mA)  
IB2  
(mA)  
tstg  
(µs)  
tf  
(µs)  
ton  
(µs)  
B
C E  
b. Lot No.  
–12  
6
–2  
–10  
5
–200  
200  
0.75typ 0.25typ  
0.25typ  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=–4V)  
–4  
–4  
–3  
–2  
–1  
0
–1.5  
–3  
–2  
–1  
–1.0  
–0.5  
0
–10mA  
IC=–3A  
IB=–5mA  
–2A  
–1A  
0
0
–1  
–2  
–3  
–4  
–5  
–6  
–0.1  
–0.5  
–0.1  
–0.5  
–1  
0
–0.5  
–1.0  
–1.5  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(A)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
j-a t Characteristics  
hFE IC Characteristics (Typical)  
(VCE=–4V)  
(VCE=–4V)  
5
500  
200  
125˚C  
25˚C  
100  
50  
Typ  
–30˚C  
100  
50  
1
20  
–0.02  
20  
–0.01  
0.7  
1
10  
100  
1000  
–0.5  
Collector Current IC(A)  
–0.1  
Collector Current IC(A)  
–1  
–4  
–0.1  
–1  
–4  
Time t(ms)  
–
Safe Operating Area (Single Pulse)  
fT IE Characteristics (Typical)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=–12V)  
30  
20  
10  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
–10  
Natural Cooling  
Silicone Grease  
Heatsink: Aluminum  
in mm  
–5  
100ms  
Typ  
–1  
150x150x2  
100x  
–0.5  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
50x50x2  
–0.1  
Without Heatsink  
2
0
–0.05  
3
5
10  
50  
100  
0.005 0.01  
0.05 0.1  
0.5  
1
3
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
Emitter Current IE(A)  
19  
1

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2SA1488 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SA1488A SANKEN

完全替代

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