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2SA1486M

更新时间: 2024-01-22 14:23:22
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 178K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 600V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126

2SA1486M 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.44外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:600 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):30
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON

2SA1486M 数据手册

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