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2SA1490

更新时间： 2024-02-25 15:13:25

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描述
PNP PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER)

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2SA1490 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.79
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	80 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1490 数据手册

2SA1490

PNP PLANAR SILICON TRANSISTOR

AUDIO POWER AMPLIFIER

DC TO DC CONVERTER

SC-65

High Current Capability

High Power Dissipation

Complementary to 2SC3854

ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta=25°C)

Characteristic

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base voltage

Collector Current (DC)

Collector Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Symbol

Rating

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

-160

-120

-6

-8

°C

150

-55~150

Tstg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C)

Characterristic

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

Collector Base Breakdown Voltage

Collector Emitter Breakdown Voltage

Emitter Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

*DC Current Gain

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

IEBO

hFE1

IC=-5 mA IE=0

IC=-10 mA

RBE=∞

IE=-5mA IC=0

VCB=-60V IE=0

VEB=-4V IC=0

VCE=-5V IC=-1A

VCE=-5V IC=-3A

IC=-3A IB=-0.3A

-160

-120

-6

-0.1

160

DC Current Gain

Collector- Emitter Saturation Voltage

hFE2

VCE(sat)

-1.5

Wing Shing Computer Components Co., (H.K.)Ltd.

Homepage: http://www.wingshing.com

Tel:(852)2341 9276 Fax:(852)2797 8153

E-mail: wsccltd@hkstar.com

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