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2SA1484

更新时间： 2024-02-19 23:59:35

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科信 - KEXIN		光电二极管
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1页	36K
描述
Silicon PNP Epitaxial

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2SA1484 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.45	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	90 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	400	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	130 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1484 数据手册

SMD Type

TransistIoCrs

Silicon PNP Epitaxial

2SA1484

SOT-23

Unit: mm

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

Features

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

-0.01

0.1

+0.1

1.9

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

-90

Unit

-90

-5

-100

Collector power dissipation

Junction temperature

P^C

150

Storage temperature

Tstg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

V(BR)CBO IC = -10 ìA, IE = 0

V^(BR)CEO

Testconditons

Min

-90

-5

Typ

Max

Unit

Collector to base breakdown voltage

Collector to emitter breakdown voltage

Emitter to base breakdown voltage

Collector cutoff current

IC = -1 mA, RBE =

V^(BR)EBOIE = -10 ìA, IC = 0

I^CBO

I^EBO

h^FE

VCB = -70 V, IE = 0

-0.1

800

-0.15

-1

ìA

Emitter cutoff current

VEB = -2 V, IC = 0

DC current transfer ratio

VCE = -12 V, IC = -2 mA ( * )

250

Collector to emitter saturation voltage

Base to emitter saturation voltage

* Pulse test.

V^CE(sat)IC = -10 mA, IB = -1 mA ( * )

VBE(sat) IC = -10 mA, IB = -1 mA ( * )

hFE Classification

Marking

hFE

IRD

IRE

250 500

400 800

www.kexin.com.cn

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