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2SA1483Y

更新时间: 2024-02-14 06:42:20
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3页 112K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-89

2SA1483Y 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:SC-62
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.49
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.2 A
基于收集器的最大容量:5 pF集电极-发射极最大电压:45 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):120
JESD-30 代码:R-PSSO-F3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:1 W
最大功率耗散 (Abs):0.5 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):200 MHz
VCEsat-Max:0.3 VBase Number Matches:1

2SA1483Y 数据手册

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