是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SC-62 |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.21.00.75 | 风险等级: | 5.49 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 0.2 A |
基于收集器的最大容量: | 5 pF | 集电极-发射极最大电压: | 45 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 120 |
JESD-30 代码: | R-PSSO-F3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | PNP | 功耗环境最大值: | 1 W |
最大功率耗散 (Abs): | 0.5 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 200 MHz |
VCEsat-Max: | 0.3 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SA1483-Y | TOSHIBA |
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High Frequency Amplifier Applications | |
2SA1483Y(TE12L,F) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,45V V(BR)CEO,200MA I(C),SOT-89 | |
2SA1483YTE12R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 200 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa | |
2SA1484 | TYSEMI |
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Collector to base voltage VCBO -90 V Collector to emitter voltage VCEO -90 V | |
2SA1484 | HITACHI |
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Silicon PNP Epitaxial | |
2SA1484 | KEXIN |
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Silicon PNP Epitaxial | |
2SA1484D | ETC |
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BJT | |
2SA1484-D | HITACHI |
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暂无描述 | |
2SA1484E | ETC |
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BJT | |
2SA1484-E | HITACHI |
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暂无描述 |