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2SA1459L

更新时间: 2024-01-28 23:43:36
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日电电子 - NEC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 155K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SPAKVAR

2SA1459L 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.18
最大集电极电流 (IC):0.05 A基于收集器的最大容量:3 pF
集电极-发射极最大电压:15 V配置:SINGLE
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):1800 MHz
Base Number Matches:1

2SA1459L 数据手册

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