5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.8 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 45 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1327Y | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 10 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| 2SA1328 | TOSHIBA |
获取价格 |
SILICON PNP EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) |
|
| 2SA1328 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SA1328 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SA1328 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon PNP Power Transistor |
|
| 2SA1328 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 20V 0.03A |
|
| 2SA1328O | ISC |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SA1328O | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 12 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, BIP General Purpose Power |
|
| 2SA1328Y | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 12 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, BIP General Purpose Power |
|
| 2SA1328Y | ISC |
获取价格 |
Transistor |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
