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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.7 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SA1312-GR(TE85L,F) | TOSHIBA | TRANSISTOR,BJT,PNP,120V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-23 |
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| 2SA1312GRTE85R | TOSHIBA | TRANSISTOR 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sm |
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| 2SA1312TE85R | TOSHIBA | TRANSISTOR 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sm |
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| 2SA1313 | KEXIN | Silicon PNP Epitaxial |
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| 2SA1313 | TYSEMI | High voltage: VCEO = -50 V (min) Small package |
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| 2SA1313 | TOSHIBA | TRANSISITOR (AUDIO FREQUENCY LOW POWER AMPLIFIER, DRIVER STAGE AMPLIFIER, SWITCHING APPLIC |
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