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2SA1313

更新时间： 2023-12-06 20:10:14

品牌	Logo	应用领域
江苏长电/长晶 - CJ		/
页数	文件大小	规格书
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SOT-23

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JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

SOT-23

2SA1313 TRANSISTOR (PNP)

FEATURES

z

Excellent h_FELinearity

: h_FE(2)=25(Min)at V_CE=-6V,I_C=- 400mA.

z

z

High Voltage :V_CEO=-50V(Min)

1. BASE

Complements to the 2SC3325.

2. EMITTER

3. COLLECTOR

MARKING : ACO,ACY

MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

Parameter

Value

-50

Unit

V

Collector-Base Voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-50

V

-5

V

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

-500

200

mA

mW

℃

P_C

T_J,T_stg

Operation Junction and Storage Temperature Range

-55~+150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test

conditions

Min

-50

-50

-5

Typ

Max

Unit

V

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_(BR)CBOI_C=-100μA,I_E=0

V_(BR)CEOI_C=-1mA,I_B=0

V_(BR)EBOI_E=-100μA,I_C=0

V

V

I_CBO

I_EBO

V_CB=-50V,I_E=0

V_EB=-5V,I_C=0

-0.1

-0.1

240

μA

μA

Emitter cut-off current

h_FE(1)

V_CE=-1V,I_C=-100mA

70

25

40

DC current gain

V

_CE=-6V,I_C=-400mA

O

Y

h_FE(2)

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

V_CE(sat)

V_BE

f_T

I_C=-100mA,I_B=-10mA

V_CE=-1V,I_C=-100mA

V_CE=-6V,I_C=-20mA

V_CB=-6V,I_E=0,f=1MHz

-0.25

-1

V

V

Transition frequency

200

13

MHz

pF

Collector output capacitance

C_ob

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

O

Y

Range

70-140

120-240

www.jscj-elec.com

1

Rev. - 2.0

12 3 4

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2SA1313-O(TE85L,F)	TOSHIBA	TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,500MA I(C),SOT-23	获取价格
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