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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-XBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 基于收集器的最大容量： | 42 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 16 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 250 | JESD-30 代码： | O-XBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 0.9 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.9 W | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1282-T11-E | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92L, 3 |
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| 2SA1282-T11-F | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92L, 3 |
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| 2SA1283 | ISAHAYA |
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SILICON PNP 2SA1283 |
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| 2SA1283 | TRSYS |
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Plastic-Encapsulated Transistors |
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| 2SA1283 | WINNERJOIN |
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TRANSISTOR (PNP) |
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| 2SA1283 | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO |
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| 2SA1283 | CJ |
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TO-92M |
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| 2SA1283 | FOSHAN |
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TO-92LM |
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| 2SA1283-11-C | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92L, 3 |
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| 2SA1283-11-D | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92L, 3 |
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