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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-92L |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 150 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 150 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SA1285-11-E | MITSUBISHI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92L |
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| 2SA1285A | ISAHAYA | FOR PRE-DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE |
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| 2SA1285A | MITSUBISHI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
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| 2SA1285A-11-E | MITSUBISHI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92L |
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| 2SA1285A-11-F | MITSUBISHI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92L |
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| 2SA1285A-11-G | MITSUBISHI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92L |
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