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2SA1283C

更新时间： 2024-11-28 20:31:11

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江苏长电/长晶 - CJ		/
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1页	113K
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Transistor

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2SA1283C 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	55	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.9 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1283C 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-92MOD Plastic-Encapsulate Transistors

TO – 92M

TO – 92MOD

2SA1283 TRANSISTOR (PNP)

1. COLLECTOR

1. EMITTER

2. BASE

FEATURES

2. COLLECTOR

3. EMITTER

3. BASE

High Collector-Emitter Voltage

Low Collector-Emitter Saturation Voltage

MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Value

-60

Unit

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-60

-6

Collector Current

-1

P_C

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

900

℃/W

℃

R_θJA

T_j

139

150

T_stg

Storage Temperature

-55~+150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test

conditions

Min

-60

-6

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C= -10µA,I_E=0

I_C=-2mA,I_B=0

I_E=-10µA,I_C=0

V_CB=-50V,I_E=0

-0.2

300

-0.3

μA

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB=-4V,I_C=0

DC current gain

h_FE

V_CE=-4V, I_C=-100mA

I_C=-500mA,I_B=-25mA

V_CB=-10V,I_E=0, f=1MHz

VCE=-2V,IC=-10mA

Collector-emitter saturation voltage

Collector output capacitance

Transition frequency

V_CE(sat)

C_ob

f_T

MHz

CLASSIFICATION OF h_FE

RANK

RANGE

55-110

90-180

150-300

A,Dec,2010

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