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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-92L |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.83 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 150 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 130 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1285 | ISAHAYA |
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FOR PRE-DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE |
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| 2SA1285-11-E | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92L |
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| 2SA1285A | ISAHAYA |
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FOR PRE-DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE |
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| 2SA1285A | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
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| 2SA1285A-11-E | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92L |
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| 2SA1285A-11-F | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92L |
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| 2SA1285A-11-G | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92L |
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| 2SA1285A-T11-E | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92L |
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| 2SA1285A-T11-F | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92L |
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| 2SA1285A-T11-G | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92L |
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