2SA1283

更新时间： 2024-01-10 04:32:27

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TRSYS		晶体晶体管
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1页	64K
描述
Plastic-Encapsulated Transistors

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2SA1283 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	150	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.9 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1283 数据手册

Transys

Electronics

I M I T E D

TO-92MOD Plastic-Encapsulated Transistors

TO-92MOD

2SA1283

TRANSISTOR (PNP)

1. EMITTER

FEATURE

Power dissipation

2. COLLECTOR

P_CM: 0.9

W (Tamb=25℃)

3. BASE

Collector current

I_CM

-1

Collector-base voltage

V_(BR)CBO: -60

123

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

Ic= -10µA , I_E=0

I_C=-2mA , I_B=0

I_E= -10µA, I_C=0

V_CB= -50 V, I_E=0

V_EB= -4 V, I_C=0

MIN

-60

-6

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

-0.2

µA

Emitter cut-off current

I_EBO

DC current gain

h_FE

V_CE=-4 V, I_C= -100mA

I_C= -500 mA, I_B=-25 mA

300

-0.3

Collector-emitter saturation voltage

V_CEsat

Transition frequency

Output capacitance

V_CE=-2V, I_C= -10mA

MHz

f _T

V_CE=-10V, I_E=0,f=1 MHz

C_ob

CLASSIFICATION OF h_FE

Rank

Range

55-110

90-180

150-300

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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