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2SA1242-O(2-7B2A)

更新时间： 2024-02-17 21:40:37

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东芝 - TOSHIBA		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	149K
描述
TRANSISTOR 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7B2A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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技术参数
数据手册

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2SA1242-O(2-7B2A) 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.8
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	170 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1242-O(2-7B2A) 数据手册

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2SA1242

– V

– I

FE C

1000

−8

−6

−4

−2

−150

−120

Common emitter

Tc = 25°C

500

300

Tc = 100°C

−100

−70

−50

−25

100

−30

−20

Common emitter

= −2 V

−0.03

= −10 mA

−0.01

−0.1

−0.3

−1

−3

−10

Collector current

(A)

−2

−4

−6

−8

−10

Collector-emitter voltage

(V)

– I

CE (sat)

−3

−1

−8

−6

−4

−2

Common emitter

/I = 40

Common emitter

= −2 V

C B

−0.5

−0.3

Tc = 100°C

−25

Tc = 100°C

−0.1

−0.05

−0.03

−25

−0.01

−0.03

−0.3

−1

−3

−10

−0.1

Collector current

(A)

−0.4

−0.8

−1.2

−1.6

−2.0

Base-emitter voltage

(V)

Safe Operating Area

– Ta

−10

max (pulsed)**

(1) Tc = Ta infinite heat sink

(2) Ceramic substrate

50 × 50 × 0.8 mm

max (continuous)

1 ms*

(1)

−5

−3

10 ms*

(3) No heat sink

100 ms*

DC operation

Tc = 25°C

−1

: Single nonrepetitive pulse

Tc = 25°C

−0.5

−0.3

(2)

(3)

** : Pulse width = 10 ms (max)

Duty cycle = 30％ (max)

Curves must be derated linearly

with increase in temperature.

max

CEO

−0.1

−0.3

100

125

150

175

−1

−3

−10

−30

Collector-emitter voltage

(V)

Ambient temperature Ta (°C)

2010-08-27

1 234

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