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2SA1244-O(2-7B1A)

更新时间： 2024-11-25 14:32:03

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	165K
描述
TRANSISTOR 5000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

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2SA1244-O(2-7B1A) 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	2-7B1A, 3 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.45	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	60 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1244-O(2-7B1A) 数据手册

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2SA1244

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)

2SA1244

High Current Switching Applications

Unit: mm

•

Low collector saturation voltage: V

= −0.4 V (max) (I = −3 A)

CE (sat) C

High speed switching time: t

Complementary to 2SC3074

= 1.0 μs (typ.)

stg

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

EBO

−60

−50

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

−5

Base current

−1

Ta = 25°C

Tc = 25°C

1.0

Collector power

dissipation

JEDEC

JEITA

―

Junction temperature

150

°C

Storage temperature range

stg

−55 to 150

TOSHIBA

2-7J1A

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high

temperature/current/voltage and the significant change in

Weight: 0.36 g (typ.)

temperature, etc.) may cause this product to decrease in the

reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are

within the absolute maximum ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report

and estimated failure rate, etc).

2010-08-27

12 3 4 5

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