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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.72 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1241O(Q) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,2A I(C),TO-252AA |
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| 2SA1241O(SM) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,2A I(C),TO-252 |
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| 2SA1241Y | TOSHIBA |
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TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) |
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| 2SA1241-Y | TOSHIBA |
获取价格 |
Power Amplifier Applications |
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| 2SA1241Y(Q) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,2A I(C),TO-252AA |
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| 2SA1241Y(SM) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,2A I(C),TO-252 |
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| 2SA1241-Y(T6L1,NQ) | TOSHIBA |
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Small Signal Bipolar Transistor |
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| 2SA1241-Y(T6L1YA,N) | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor |
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| 2SA1242 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISOTOR (STROBE FLASH, MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SA1242 | FOSHAN |
获取价格 |
TO-252 |
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