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2SA1162GR

更新时间： 2024-02-10 09:22:36

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美微科 - MCC		/
页数	文件大小	规格书
2页	75K
描述
150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3

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2SA1162GR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.39
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1162GR 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

2SA1162

Micro Commercial Components

Features

•

Capable of 0.15Watts of Power Dissipation.

Collector-current: 0.15A

Collector-base Voltage: -50V

Operating and storage junction temperature range: -55R to +150R

Case Material: Molded Plastic. UL Flammability

Classification Rating 94V-0

PNP Silicon

Plastic-Encapsulate

Transistor

SOT-23

Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=-1mAdc, I_B=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=-100uAdc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=-100uAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

(V_CB=-50Vdc, I_E=0)

-50

-5

---

Vdc

---

Vdc

---

-0.1

uAdc

I_EBO

Emitter Cutoff Current

(V_EB=-5.0Vdc, I_C=0)

---

DIMENSIONS

INCHES

MIN

ON CHARACTERISTICS

DIM

MAX

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

NOTE

h_FE

DC Current Gain

---

400

-0.3

---

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

(I_C=-2.0mAdc, V_CE=-6.0Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-100mAdc, I_B=-10mAdc)

V_CE(sat)

Vdc

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

f_T

Transistor Frequency

---

MHz

(I_C=-1.0mAdc, V_CE=-10Vdcz)

Collector Output Capacitance

(V_CB=-10Vdc, I_E=0, f=1MHz)

Noise Figure

(V_CE=-6Vdc, I_C=0.1mA, f=1KHz, R_g=10K=)

.085

.37

Cob

Suggested Solder

Pad Layout

CLASSIFICATION OF H^{FE (1)}

.031

.800

Rank

Range

Marking

70-140

120-240

200-400

.035

.900

.079

2.000

inches

.037

.950

.037

.950

www.mccsemi.com

1 of 2

Revision: 3

2006/06/22

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与2SA1162GR相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1162-GR	TOSHIBA	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)	获取价格
2SA1162-GR	MCC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI	获取价格
2SA1162-GR(T5LHITF	TOSHIBA	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	获取价格
2SA1162-GR(T5LPP,F	TOSHIBA	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	获取价格
2SA1162-GR(T5LTRSF	TOSHIBA	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	获取价格
2SA1162GR(TE85L,F)	TOSHIBA	150mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	获取价格

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