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2SA1006A

更新时间： 2024-02-19 08:25:50

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	124K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1006A 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Base Number Matches：	1

2SA1006A 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1006 2SA1006A 2SA1006B

CHARACTERISTICS

Tj=25ꢀ unless otherwise specified

SYMBOL

V_CEsat

V_BEsat

I_CBO

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

-1.0

-1.5

-1

UNIT

Collector-emitter saturation voltage I_C=-0.5A; I_B=-50mA

Base-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

I_C=-0.5A ;I_B=-50mA

V_CB=-150V ;I_E=0

µA

I_EBO

V_EB=-3V; I_C=0

-1

h_FE-1

h_FE-2

C_ob

I_C=-5mA ; V_CE=-5V

I_C=-150mA ; V_CE=-5V

I_E=0 ; V_CB=-10V,f=1MHz

I_C=-100mA ; V_CE=10V

DC current gain

320

Output capacitance

Transition frequency

f_T

MHz

ꢀ h_FE-2Classifications

60-120

100-200

160-320

123 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2SA1006AP	ISC	Transistor	获取价格
2SA1006AQ	NEC	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy	获取价格
2SA1006AR	ISC	Transistor	获取价格
2SA1006AR	NEC	1.5A, 200V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220, 3 PIN	获取价格
2SA1006B	ISC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格