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2SA0885S

更新时间: 2024-02-27 23:50:26
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松下 - PANASONIC 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
4页 65K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126

2SA0885S 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SIP包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.84Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:35 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):170JEDEC-95代码:TO-126
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):1.2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):200 MHzBase Number Matches:1

2SA0885S 数据手册

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Power Transistors  
2SA0885  
ICEO Ta  
Area of safe operation (ASO)  
104  
10  
VCE=10V  
Single pulse  
TC=25˚C  
3  
1  
ICP  
103  
102  
10  
1
IC  
t=10ms  
0.3  
0.1  
t=1s  
0.03  
0.01  
0.003  
0.001  
0
20 40 60 80 100 120 140 160  
0.1 0.3  
1  
3  
10 30 100  
(
)
( )  
Collector to emitter voltage VCE V  
Ambient temperature Ta ˚C  
3

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