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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.92 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N7297H2 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-204AA |
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| 2N7297H3 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-204AA |
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| 2N7297H4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-204AA |
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| 2N7297R | RENESAS |
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10A, 500V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| 2N7297R1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-204AA |
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| 2N7297R2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-204AA |
|
| 2N7297R3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-204AA |
|
| 2N7297R4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-204AA |
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| 2N7298 | RENESAS |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.615ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2N7298D | RENESAS |
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9A, 500V, 0.615ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
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