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2N7298R4

更新时间: 2024-11-09 20:30:59
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瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
4页 264K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,9A I(D),TO-254AA

2N7298R4 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.92
配置:Single最大漏极电流 (Abs) (ID):9 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码:e0
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):125 W
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

2N7298R4 数据手册

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