5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.71 |
| 其他特性： | RADIATION HARDENED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9 A | 最大漏源导通电阻： | 0.615 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-254AA |
| JESD-30 代码： | S-MSFM-P3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 27 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 980 ns | 最大开启时间（吨）： | 344 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N7298D1 | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,9A I(D),TO-254AA |
|
| 2N7298D2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-254AA |
|
| 2N7298D3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-254AA |
|
| 2N7298H | RENESAS |
获取价格 |
9A, 500V, 0.615ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
|
| 2N7298H1 | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,9A I(D),TO-254AA |
|
| 2N7298H2 | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,9A I(D),TO-254AA |
|
| 2N7298H3 | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,9A I(D),TO-254AA |
|
| 2N7298H4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-254AA |
|
| 2N7298R | RENESAS |
获取价格 |
9A, 500V, 0.615ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
|
| 2N7298R1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-254AA |
|
MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
高压电解电容的分类与选型策略
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
