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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | RADIATION HARDENED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 16 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 16 A | 最大漏源导通电阻： | 0.24 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-204AA |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N7285R | RENESAS |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2N7285R1 | RENESAS |
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16A, 200V, 0.24ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| 2N7285R2 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-204AA |
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| 2N7285R3 | RENESAS |
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16A, 200V, 0.24ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| 2N7285R4 | RENESAS |
获取价格 |
16A, 200V, 0.24ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| 2N7286 | RENESAS |
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12A, 200V, 0.255ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA |
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| 2N7286D | RENESAS |
获取价格 |
12A, 200V, 0.255ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA |
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| 2N7286D1 | RENESAS |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 200V, 0.255ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| 2N7286H | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 200V, 0.255ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| 2N7286H4 | RENESAS |
获取价格 |
12A, 200V, 0.255ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA |
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