5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | RADIATION HARDENED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 17 A | 最大漏源导通电阻： | 0.145 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-257AA |
| JESD-30 代码： | R-MSFM-P3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 51 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N7284R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-257AA |
|
| 2N7284R1 | RENESAS |
获取价格 |
17A, 100V, 0.145ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA |
|
| 2N7284R3 | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| 2N7285 | RENESAS |
获取价格 |
16A, 200V, 0.24ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
|
| 2N7285D | RENESAS |
获取价格 |
16A, 200V, 0.24ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
|
| 2N7285D1 | RENESAS |
获取价格 |
16A, 200V, 0.24ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
|
| 2N7285D2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-204AA |
|
| 2N7285D3 | RENESAS |
获取价格 |
16A, 200V, 0.24ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
|
| 2N7285D4 | RENESAS |
获取价格 |
16A, 200V, 0.24ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
|
| 2N7285H | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
高压电解电容的分类与选型策略
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
