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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.92 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N7278R2 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-205AF |
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| 2N7278R3 | RENESAS | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,250V V(BR)DSS,4A I(D),TO-205AF |
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| 2N7278R4 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-205AF |
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| 2N7279 | RENESAS | 5A, 250V, 0.715ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA |
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| 2N7279D | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-257AA |
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| 2N7279H | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-257AA |
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