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2N7280H3

更新时间: 2024-01-30 23:23:00
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 局域网脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 115K
描述
3A, 500V, 2.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

2N7280H3 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92其他特性:RADIATION HARDENED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):3 A最大漏极电流 (ID):3 A
最大漏源导通电阻:2.5 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-204AAJESD-30 代码:O-MBFM-P2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):75 W最大脉冲漏极电流 (IDM):9 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2N7280H3 数据手册

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