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2N7002KW

更新时间： 2024-01-11 10:06:26

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强茂 - PANJIT		晶体晶体管开关光电二极管 PC
页数	文件大小	规格书
5页	171K
描述
60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected

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2N7002KW 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	260
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

2N7002KW 数据手册

2N7002KW

ELECTRICALCHARACTERISTICS

Parameter

Symbol

Test Condition

Min.

Typ.

Max.

Units

Static

Drain-Source Breakdown Voltage

Gate Threshold Voltage

Drain-Source On-State Resistance

Zero Gate Voltage Drain Current

Gate Body Leakage

BV_{D S S}

V_{G S ( t h )}

R_{D S ( o n )}

I_{D S S}

V_{G S}=0V, I_D=10uA

V_{D S}=V_{G S}, I_D=250uA

V_GS=4.5V, I _D=200mA

V_GS=10V, I _D=500mA

V_{D S}=60V, V_GS=0V

2.5

4.0

3.0

Ω

I_{G S S}

V_{G S}=+20V, V_{D S}=0V

V_{D S}=15V, I_D=250mA

I_S=200mA , V_{G S}=0V

100

+10

Forward Transconductance

g_{f S}

Diode Forward Voltage

Dynamic

V_{S D}

0.82

1.3

V_{D S}=15V, I_D=200mA

V_GS=4.5V

Total Gate Charge

Q_g

0.8

Turn-On Delay Time

Turn-Off Delay Time

Input Capacitance

t_{o n}

V_{D D}=30V , R_L=150Ω

I_D=200mA , V_{GE N}=10V

R_G=10Ω

t_{o f f}

C_{i s s}

C_{o s s}

C_{r s s}

V_{D S}=25V, V_{G S}=0V

f=1.0MH_Z

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

VDD

Switching

Test Circuit

Gate Charge

Test Circuit

VGS

OUT

1mA

STAD-JAN.11.2007

PAGE . 2

123 4 5

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