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2N6732

更新时间: 2024-10-30 21:08:11
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德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
9页 719K
描述
1000mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-237, TO-237, 3 PIN

2N6732 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.18Is Samacsys:N
其他特性:HIGH CURRENT DRIVER最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:80 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JEDEC-95代码:TO-237AA
JESD-30 代码:O-PBCY-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):2 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):50 MHzVCEsat-Max:0.35 V
Base Number Matches:1

2N6732 数据手册

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