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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2N6732SMTA
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2N6732SMTA

更新时间： 2024-11-01 13:04:07
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体小信号双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 30K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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2N6732SMTA 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.25
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PSSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：200 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
VCEsat-Max：0.35 VBase Number Matches：1

2N6732SMTA 数据手册

  
PNP SILICON PLANAR  
2N6732  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
ISSUE 1 – MARCH 94  
FEATURES  
*
*
*
80 Volt VCEO  
Gain of 100 at IC = 350 mA  
Ptot=1 Watt  
C
B
E
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-100  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-80  
V
-5  
V
Peak Pulse Current  
-2  
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb= 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
-1  
1
A
Ptot  
W
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
TYP.  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-100  
-80  
-5  
V
IC=-100µA, IE=0  
IC=-10mA, IB=0*  
IE=-1mA, IC=0  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
V
Collector Cut-Off  
Current  
-0.1  
VCB=-80V, IE=0  
µA  
Emitter Cut-Off Current IEBO  
-10  
VEB=-5V, IC=0  
µA  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
-0.35  
V
IC=-350mA, IB=-35mA*  
Base-Emitter Turn-On VBE(on)  
Voltage  
-1.0  
V
IC=-350mA, VCE=-2V*  
Static Forward Current hFE  
Transfer Ratio  
100  
100  
IC=-10mA, VCE=-2V*  
IC=-350mA, VCE=-2V*  
300  
500  
Transition  
Frequency  
fT  
50  
MHz  
pF  
IC=-200mA, VCE=-5V  
f=20MHz  
Collector-Base  
Capacitance  
CCB  
20  
VCB=-10V, f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
3-11  
1

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