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2N6725

更新时间: 2024-11-20 20:33:47
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德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
3页 134K
描述
1000mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-237, TO-237, 3 PIN

2N6725 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.18最大集电极电流 (IC):1 A
基于收集器的最大容量:10 pF集电极-发射极最大电压:50 V
配置:DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE):4000
JEDEC-95代码:TO-237AAJESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:2 W
最大功率耗散 (Abs):2 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
VCEsat-Max:1.5 VBase Number Matches:1

2N6725 数据手册

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